Заявленная эффективность нового фотогальванического элемента достигнута при освещении сконцентрированным в 326 раз солнечным светом.
Высокий КПД фотоэлектрического преобразования солнечной энергии получен благодаря применению трехслойного материала, где каждый слой "поглощает" фотоны определенной части спектра, работая как полупроводниковый переход.
Строительным материалом для создания полупроводниковых переходов выступают фосфид индия и арсенид галлия, которые ученые из NREL вырастили на подложке из арсенида галлия, с последующим ее удалением. Получившиеся переходы к тому же обладают метаморфической структурой (измененной кристаллической решеткой), что повышает общую эффективность преобразования энергии фотонов.
|