Заявлена ефективність нового фотогальванічного елементу досягнута при концентрації сонячних променів у 326 рази.
Такий високий ККД фотоелектричного перетворення сонячної енергії отриманий завдяки застосуванню тришарового матеріалу, де кожен шар "поглинає" фотони певної частини спектра, працюючи як напівпровідниковий перехід.
Будівельним матеріалом для створення напівпровідникових переходів виступають фосфід індію й арсенід галію, які вчені з NREL виростили на підкладці з арсеніду галію, з наступним її видаленням. Отримані напівпровідникові переходи до того ж мають метаморфічну структуру (змінену кристалічну решітку), що підвищує загальну ефективність перетворення енергії фотонів.
|