Як напівпровідник у новому фотоелектричному перетворювачі виступає селенід міді-індію-галію (CIGS), що вже довів свою ефективність, у тому числі й у тонкоплівкових варіаціях сонячних батарей. Головна відмінність технології фотокомірок на базі CІGS від батарей на основі кристалічного кремнію — це висока економічність. Але, до досконалості ще далеко — ККД CIGS-панелі поки залишає бажати кращого.
Раніше проблему ККД намагалися вирішити додаванням лужних металів, які формують в «фінальному» матеріалі напівпровідник p-типу з певною концентрацією носіїв заряду. Але цей спосіб пов’язаний з труднощами і не забезпечує відтворюваність результатів (а це важливо для запуску в серію).
Японці підійшли до вирішення проблеми з іншого боку. Спочатку на гнучку підкладку сонячної батареї (див. на малюнку зліва — номер 1) наноситься тонкий шар лугосилікатного скла (2). Звідси пішла й назва методу — Alkali-Silicate glass thin layer (ASTL).
Після скла формуються інші шари: задній електрод (3), GIGS-шар, що абсорбує світло (4), буферний шар (5), передній прозорий електрод (6) і антивідблискувальне покриття (7).
Шар лугосилікатного скла дозволяє досягти цікавого ефекту: лужні метали проникають крізь задній електрод і за допомогою дифузії попадають в CIGS-шар. Це знімає складності додавання лужного металу в основний шар сонячної панелі в потрібній кількості.
Найбільший ККД — 17,7% — був досягнутий при використанні гнучкої кераміки як підкладки для сонячних комірок. Не на багато відстали від лідера і підкладки з полімеру й титанової фольги, показавши, відповідно, 14,7 та 17,4%. Це кращі показники серед усіх раніше створених гнучких CIGS-комірок.
|